المساعد الشخصي الرقمي

مشاهدة النسخة كاملة : أسألة إلكيرونيا



مكنيكية
06-11-2011, 01:52 PM
السلام عليكم

أسإلة إختبار ميكانيكا

ياريت إللي يعرف يحلها أو بعضها

لا يبخل علينا


1) مصطلح انحيازbias تعني
(a)معدل الحوامل الأكثرية الى الحوامل الأقلية
(b)كمية التيار التي تعبر عبر وصلة الـ pn-Junction
(c)dc voltage الذي يطبق للتحكم بتشغيل الجهاز
(d)ولاواحدة مما ذكر أعلاه
2) إذا طبق جهد جيبي بتردد Hz60 على دخل مقوم موجة كاملة , فإن تردد إشارة الخرج هو
(a)120 Hz
(b)30 Hz
(c)60 Hz
(d)0 Hz
3) القناة في الترانزيستور JFET تكون بين

(a)drain gate and
(b)and drainsource
(c)sourceandgate
(d)Input and output
4) ترانزيستور الـ JFET يعمل دائماً بـ
(a)عندما تكون وصلة البوابة والمنبع بحالة انحياز عكسي
(b)عندما تكون وصلة البوابة والمنبع بحالة انحياز أمامي
(c)بوصلالمصرف مع الأرض
(d)بوصل البوابة مع المنبع



1) من أجل VGS = 0V , فإن تيار المصرف في الترانزيستور JFET يصبح ثابتاً عندما الجهدVDS يتجاوز
(a)الجهدVDD
(b)Vp
(c)cutoff
(d)0 V
2) IDssهو
(a)تيار المصرف عندما يكون المنبع مقصوراً VGS = 0
(b)تيار المصرف عندالقطع
(c)أعظم تيارمصرف ممكن
(d)نقطة المنتصف لتيارالمصرف


3) عند حالة القطع، تكون القناة في ترانزيستورJFET
(a)عند أعرض نقطة
(b)مغلقة بالكامل بواسطة المنطقة الفراغية(depletion region)
(c)ضيقة جداً
(d)منحازة عكسياً
4) يختلف ترانزيستورMOSFET عن الـJFET أساسياً بسبب
(a)معدل القدرة
(b)أن ترانزيستورMOSFET له بوابتان
(c)أن ترانزيستورJFET له وصلة pn
(d)أن الترانزيستورMOSFET ليس له قناة فيزيائية
السؤال 1:احسبي جهد زينر الاسمي عند درجة حرارة 70ْ إذا علمت أنVZ =10 V وأن TC= 0.072 (درجتان)



السؤال 2: قارني بين الديود العادي في حالة انهيار زينر(zener breakdown) وديود زينر وهل نستطيع استبدال ديود زينر بديود عادي في دائرة ما إذا احترق ديود زينر فيها؟ ولماذا (درجتان)

مكنيكية
06-11-2011, 02:02 PM
السؤال 1:ارسمي رمز ترانزيستورJFET نوع N-channel والبنية التركيبية له . (درجتان)







السؤال 2:إذا ازداد الجهد VGS للترانزستور JFET نوع p-channel من 1 V إلى 3 V هل ستصبح المنطقة الفراغية (depletion region) أضيق أم أعرض؟ ولماذا (درجتان)





السؤال 3: وضحي بالاستعانة بالرسم كيف تتأثر مكثفة الانتشار و العبور بجهد الانحياز المطبق على الوصلة PN ؟ (درجتان)





السؤال 1:جسرتقويم موجة كامل مطبق عليه جهد دخل جيبي120-Vrms بتردد f=60 Hzله مقاومة حمل R =1kW


(درجة لكل فقرة)
a. ارسمي مخطط الدائرة
b. إذا استخدمت ديودات من الجرمانيوم. ماهو جهد الخرج المستمر (dc) Vo المتوفرعلى مقاومة الحمل؟
c. ارسمي اشارة الخرج موضحة عليها جهد الخرج الأعظمي وتردد الخرج
d. احسبي معدل PIV لكل ديود
e. احسبي التيارالأعظمي في الخرج
f. ماهو معدل القدرة المطلوب لكل ديود



السؤال 1:إذا أعطيت لترانزيستور JFET معين15 mA = , IDss =VGS(off) = -5V Vp ارسمي منحن النقل (التحويل) (4 درجات)





السؤال 2:من أجل ترانزيستور Enhancement-MOSFET نوع إغناء تعطي الـ Data sheet ID(on) = 500 mA عند ٍVGS(th) = 1V احسبي تيار المصرف من أجل VGS = 5V. (درجتان)

مكنيكية
06-11-2011, 02:23 PM
السؤال 1:ديود زينر موجود في دائرة تنظيم كما في الشكل له قيمة جهد اسمية VZ = 5.1 V: و mW 260 Pmax=:


(4 درجات)
a. أوجدي تيار زينر الأعظمي izmax المسموح به.
b. إذا كانت دائرة التنظيم مؤلفة من منبع جهد متغيرVIN أوجدي مجال تغيرالجهد VIN الذي سيبقي الجهد على مقاومة الحمل ثابتاً و لا يتجاوز معدل القدرة Pmax لديود زينر.


http://www.m5zn.com/uploads/2011/6/11/photo/thumb/061111040617lzklai0rgzxje.png

مكنيكية
06-11-2011, 02:25 PM
السؤال الأول اختاري الاجابة الصحيحة:
I. الديود المنحاز أمامياً
(a)يمنع مرور التيار
(b)ممانعته عالية
(c)يمرر التيار
(d)يكون الجهد الهابط عليه عالياً.


II. من أجل ديود سيليكوني عادة قيمة جهد الانحياز الأمامي
(a) يجب أن تكون أكبر من 0.3 V
(b) يجب أن تكون أكبر من 0.7 V
(c) يعتمد ذلك على عرض المنطقة المحرمة (depletion Region)
(d) يعتمد على تركيز الحوامل الأعظمية


III. الثقوب في شبه الناقل (Semiconductor) نوع n-type
(a) حوامل أقلية وتنتج حرارياً
(b) حوامل أقلية وتنتج بواسطة عملية الإشابة (produced by doping)
(c) حوامل أكثرية وتنتج حرارياً (thermally produced)
(d) حوامل أكثرية وتنتج بواسطة عملية الإشابة (produced by dopping)


IV. الحوامل الأكثرية في في شبه الناقل (Semiconductor) نوع n-type
(a) ثقوب holes
(b) الكترونات التكافؤ
(c) الكترونات النقل
(d) بروتونات


V. الفرق بين العازلinsulator وشبه الناقل Semiconductor هو
(a) فجوة طاقية عريضة بين حزمة التكافؤ وحزمة النقل
(b) عدد الالكترونات الحرة
(c) البنية الذرية
(d) كل ما ذكر أعلاه

VI. تيار الاشباع العكسي Is
(a) يتضاعف كلما ازدادت الحرارة 10oC
(b) لا يتأثر بالحرارة
(c) يتناقص إلى النصف كلما ازدادت الحرارة 10oC
(d) يتزايد أسياّ exponentially كلما ازدادت الحرارة 10oC


I. القيمة المتوسطة لموجة مقومة تقويماً نصف موجياً half-wave لها جهد قمة V) 200 (
(a) 63.7 V
(b) 127.3 V
(c) 141 V
(d) 0 V


II. إذا طبق جهد جيبي بتردد Hz60 على دخل مقوم نصف موجة , فإن تردد إشارة الخرج هو
(a) 120 Hz
(b) 30 Hz
(c) 60 Hz
(d) 0 Hz


III. ديود زينر Zener diode يعمل في:
(a) الانهيار العكسي reverse breakdown
(b) الانحياز الأمامي forward bias
(c) الانحياز العكسي reverse bias
(d) ولا واحدة


IV. ديود زينر Zener diode يستخدم:
(a) للحفاظ على ثبات الجهد عبر نهايتيه على مدى معين لتيار زينر
(b) للحفاظ على ثبات التيار عبر نهايتيه
(c) للحفاظ على ثبات المقاومةعبر نهايتيه
(d) كل ما ذكر أعلاه
(e) ولا واحدة

السؤال الأول:
I. لكي يعمل ترانزيستور ثنائي الوصلة الـ BJT كمكبر: يتم تحييز
(a)احدى وصلاته أمامياً والأخرى عكسياً
(b)كلتا وصلاته عكسياً
(c)كلتا وصلاته أمامياً

(d)لايمكن للترانزيستور أن يعمل كمكبر وإنما يعمل دائماً كمفتاح قطع وصل


II. في منطقة التشبع فإن
(a) كلتا الوصلتين قاعدة - باعث قاعدة - مجمع ذاتا انحياز عكسي
(b) كلتا الوصلتين قاعدة - باعث ووصلة قاعدة - مجمع ذاتا انحياز أمامي

(c) انحياز وصلة باعث- قاعدة أمامي وانحياز وصلة قاعدة-مجمع عكسي
(d) انحياز وصلة باعث- قاعدة عكسي وانحياز وصلة قاعدة-مجمع أمامي


III. التيار IE في الترانزيستور ثنائي الوصلة الـ BJT نوع p-type
(a) يكون مكون من الكترونات وثقوب

(b) الكترونات فقط
(c) ثقوب فقط

IV. تيار الباعث في الترانزيستور ثنائي الوصلة الـ BJTفي تركيبة قاعدة مشتركة CBC
(a) أكبر من تيار المجمع
(b) يساوي تقريباً تيار المجمع
(c) أصغر من تيار المجمع
(d) ليس له علاقة بتيار المجمع


V. الكمية b تعطي العلاقة بين
(a) تيار القاعدة وتيار المجمع
(b) تيار الباعث وتيار المجمع
(c) تيار الباعث وتيار القاعدة
(d) جهد القاعدة وجهد المجمع


VI. السهم في رمز الترانزيستور ثنائي الوصلة الـ BJTيشير إلى
(a) إتجاه الحوامل الأقلية
(b) إتجاه الحوامل الأكثرية
(c) إتجاه التيار
(d) ولا واحدة



VII. الكمية a تعطي العلاقة بين
(a) تيار القاعدة وتيار المجمع
(b) تيار الباعث وتيار المجمع
(c) تيار الباعث وتيار القاعدة
(d) جهد القاعدة وجهد المجمع
VIII. إذا علمت أن a=0.98 فإن b تساوي
(a) لانهائية
(b) 49
(c) 90
(d) 33
(e) 50
(f) لايمكن تحديدها

مكنيكية
06-11-2011, 02:29 PM
السؤال 1: من أجل الدائرة المبينةإحسبي:(6 درجات)
a. VEو VC وVB.
b.ثم: IC, IE,IB إذاعلمت أن aDC = 0.98

http://www.m5zn.com/uploads/2011/6/11/photo/thumb/061111040636wodiyu1bib9xjfct.pnghtt p://www.m5zn.com/uploads/2011/6/11/photo/061111040636wodiyu1bib9xjfct.png